軟蝕刻技術(shù)

采用 <30W 低功耗射頻刻蝕刻實(shí)現(xiàn)精細(xì)蝕刻控制 <b12>在低功耗控制區(qū)域可實(shí)現(xiàn)控制精度為 10 mW
的穩(wěn)定
等離子體控制 軟蝕刻由曼徹斯特大學(xué)的 A. A. Smith 進(jìn)行，他因“石墨烯新碳材料的**實(shí)驗(yàn)”而獲得 2010 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 該技術(shù)是與Geim博士領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)合作開(kāi)發(fā)的。
自采用Moorfield的石墨烯合成設(shè)備和蝕刻階段以來(lái)，該研究所已經(jīng)連續(xù)運(yùn)行了三個(gè)以上的單元，nanoETCH和nanoCVD已成為研究小組發(fā)展不可或缺的工具。 此外，nanoCVD和nanoETC已交付給NGI（國(guó)家石墨烯研究所）、GEIC（曼徹斯特格拉普寧工程**中心）等歐洲國(guó)家研究機(jī)構(gòu)，是廣泛應(yīng)用于二維研究的高可靠性器件。

用

• 2D（過(guò)渡金屬卡貢奈，材料轉(zhuǎn)移后的石墨烯剝離）表面改性
• 去除聚合物抗蝕劑，如PMMA和PPA
• 易受損壞的基材（如聚四氟乙烯基材）的表面改性和蝕刻
• h-BN 側(cè)壁蝕刻*
• SiO2 蝕刻*

• *需要“氟化物供氣模塊”選項(xiàng)

參考規(guī)格

A. 主要規(guī)格

1. 晶圓尺寸	Φ3 英寸（標(biāo)準(zhǔn)）或 Φ4 英寸，*高 Φ6 英寸
2. 工藝氣體	多達(dá) 3 個(gè) MFC 控件（Ar、O2 標(biāo)準(zhǔn)、N2 選項(xiàng)）
3.真空排氣系統(tǒng)	渦輪分子泵、旋轉(zhuǎn)泵、寬范圍儀表
4.*大真空度	5 x 10-5 帕斯卡
5. 選項(xiàng)	APC工藝壓力自動(dòng)控制 直流電源裝置 氟化物供氣模塊（SF6、CHF3） 干式渦旋泵

 

B. 公用事業(yè)

1.電源	200V 單相 20A
2. 工藝氣體	25psi （0.17Mpa） 99.99% 推薦
3.排氣	5-6psi （34-41kpa）
4.冷卻水	1L/min，4bar（400kpa），18-20°C
5.壓縮空氣	60-80psi（413-550Kpa）

 

C. 軟件（標(biāo)準(zhǔn)附件）

1. IntelliDep nanoETCH軟件
2. 設(shè)置數(shù)量	*多可編程和保存 30 個(gè)配方，30 個(gè)步驟
3. 用于 Windows PC 連接的 IntelliLink 遠(yuǎn)程軟件